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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過(guò)大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測(cè)量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級(jí)的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無(wú)一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計(jì) 射頻電源解決方案 μV級(jí)電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護(hù)和相對(duì)簡(jiǎn)化的環(huán)路補(bǔ)償而備受青睞。然而，當(dāng)占空比超過(guò)50%時(shí)，系統(tǒng)會(huì)出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問(wèn)題。斜坡補(bǔ)償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設(shè)計(jì)策略需隨功率等級(jí)...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補(bǔ)償 反激轉(zhuǎn)換器 次諧波振蕩 斜坡補(bǔ)償設(shè)計(jì)
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高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？?jī)x表放大器與功率放大器選型指南
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺(tái)上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設(shè)計(jì)哲學(xué)、核心任務(wù)與應(yīng)用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。
2025-06-20
儀表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驅(qū)動(dòng)電路
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戰(zhàn)略布局再進(jìn)一步：意法半導(dǎo)體2025股東大會(huì)關(guān)鍵決議全票通過(guò)
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會(huì)于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會(huì)全票通過(guò)所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動(dòng)能。
2025-06-20
意法半導(dǎo)體 股東大會(huì)
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μV級(jí)精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號(hào)鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測(cè)量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號(hào)鏈的μV級(jí)精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個(gè)LSB時(shí)，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場(chǎng)。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開(kāi)關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化 信號(hào)鏈噪聲抑制 LDO選型 開(kāi)關(guān)電源濾波
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢(shì)。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設(shè)計(jì) 分立器件優(yōu)勢(shì) 功率擴(kuò)展 熱管理設(shè)計(jì) 并聯(lián)可靠性
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如何選擇正確的工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的儀表放大器？
在自動(dòng)化程度日益提升的工廠環(huán)境中，儀表放大器作為微弱信號(hào)采集的“感知末梢”，其性能穩(wěn)定性直接關(guān)乎設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與生產(chǎn)效率。如何正確選擇一款堅(jiān)固耐用、高精可靠的工業(yè)級(jí)儀表放大器？本文將揭秘工業(yè)級(jí)儀表放大器的五維選型矩陣與三大致命場(chǎng)景破解方案，助您筑起工業(yè)信號(hào)鏈的銅墻鐵壁。
2025-06-19
工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用 儀表放大器選型 工業(yè)傳感器接口 抗干擾信號(hào)調(diào)理
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高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域，高溫環(huán)境對(duì)集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場(chǎng)景向極端溫度條件延伸，高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問(wèn)題日益凸顯，亟需通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對(duì)集成電路的深層影響，揭示高結(jié)溫帶來(lái)的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對(duì)性的高...
2025-06-18
高溫IC 高溫IC設(shè)計(jì) 高結(jié)溫挑戰(zhàn) 工業(yè)芯片高溫應(yīng)用
- 國(guó)產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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