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導(dǎo)通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴(kuò)展其NPT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
2012-09-13
IGBT 半導(dǎo)體 美高森美
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惡劣工作環(huán)境中的開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)考慮
汽車、軍事和航空電子應(yīng)用中的惡劣工作環(huán)境對(duì)集成電路的技術(shù)要求極端苛刻，電路必須能夠承受高電壓和電流、極端溫度和濕度、振動(dòng)、輻射以及各種其他應(yīng)力。本文描述了工程師在將模擬開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)到惡劣環(huán)境下所用模塊中時(shí)面臨的挑戰(zhàn)，并提供了一些一般解決方案建議，以供電路設(shè)計(jì)人員用來保...
2012-09-12
開關(guān) 多路復(fù)用器
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低壓、高精度、四電壓微處理器監(jiān)控電路
ADM8710是一款低壓、高精度監(jiān)控電路，最多可監(jiān)控四個(gè)系統(tǒng)電源電壓。該器件包括兩個(gè)內(nèi)部預(yù)調(diào)整的欠壓閾值選項(xiàng)，可以監(jiān)控1.8 V和3.3 V電源電壓。
2012-09-12
ADI 微處理器 ADM8710
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9月15日江蘇昆山將舉辦大型國際工業(yè)博覽會(huì)
昆山，全國百強(qiáng)縣之首，全國中小城市綜合實(shí)力排名第一，2011年昆山地區(qū)生產(chǎn)總值將達(dá)到2530億元。目前已形成了電子信息、精密模具、裝備制造、電路板等國家級(jí)乃至世界級(jí)的產(chǎn)業(yè)集群。
2012-09-11
大型國際工業(yè)博覽會(huì)
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功耗比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低70%以上ADC轉(zhuǎn)換器
ADI推出同類產(chǎn)品中功效最高的轉(zhuǎn)換器，12位 1 MSPS SAR ADC AD7091R內(nèi)置2.5 V基準(zhǔn)電壓源，具有264 nA關(guān)斷電流和21.6μA待機(jī)電流，便于工業(yè)與醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)人員優(yōu)化操作與靜態(tài)功耗，專為需要嚴(yán)格控制系統(tǒng)功耗的系統(tǒng)工程師設(shè)計(jì)。
2012-09-11
ADI 轉(zhuǎn)換器 功效最高
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淺析2012年中國電連接器市場(chǎng)發(fā)展方向
中國電連接器市場(chǎng)需求近年來保持了高速增長(zhǎng)，新技術(shù)、新材料的出現(xiàn)也極大推動(dòng)了行業(yè)應(yīng)用水平的提高。
2012-09-11
電連接器 發(fā)展方向
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MEMS傳感器的靜止帶寬測(cè)試
對(duì)于采用MEMS加速度計(jì)和陀螺儀的工業(yè)系統(tǒng)而言，優(yōu)化帶寬可能是關(guān)鍵考慮因素。這代表著精度(噪聲)與響應(yīng)時(shí)間之間的一種經(jīng)典權(quán)衡。
2012-09-10
MEMS ADI
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發(fā)力電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，飛兆半導(dǎo)體推最新IGBT
此次，飛兆半導(dǎo)體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴(yán)格的能效指標(biāo)。
2012-09-10
IGBT 飛兆半導(dǎo)體 電機(jī)
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Littelfuse推出可抵御±15KV ESD放電的TVS陣列
SP1008系列TVS管具有1.3Ω的低態(tài)電阻，可提供卓越的10.7V箝位性能。該系列產(chǎn)品可在不影響性能并確保提供更強(qiáng)ESD保護(hù)的前提下抵御至少±15KV的接觸放電，超出IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高等級(jí)（4級(jí)，±8kV）。
2012-09-08
ESD TVS Littelfuse
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