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內(nèi)需將是光伏主戰(zhàn)場(chǎng)，三年內(nèi)行業(yè)將加速整合
目前，我國(guó)的光伏產(chǎn)品95%以上出口國(guó)外，但是隨著歐美需求的疲軟，光伏制造業(yè)“擴(kuò)產(chǎn)潮”所帶來(lái)的巨大產(chǎn)能過(guò)剩，已經(jīng)形成了懸在我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)頭頂?shù)摹把呷?。未?lái)擴(kuò)大內(nèi)需，減少對(duì)海外市場(chǎng)的依賴，將是國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)走出嚴(yán)冬的現(xiàn)實(shí)選擇。但由外到內(nèi)，成功幾率有多大？
2012-01-04
光伏 可再生能源
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全彩LED顯示屏的主要技術(shù)及性能要求
從單色顯示屏到全彩顯示屏，LED解決方案被廣泛用于市場(chǎng)需求和復(fù)雜程度不同的路標(biāo)指示牌、廣告顯示屏、戶內(nèi)外視頻顯示屏等。本文主要論述全彩LED視頻顯示屏的主要技術(shù)要求，以及如何實(shí)現(xiàn)所需的性能。
2012-01-04
LED 全彩LED顯示屏 顯示屏 驅(qū)動(dòng)器 LED驅(qū)動(dòng)器
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基于開(kāi)關(guān)電源的整流模塊設(shè)計(jì)
智能高頻開(kāi)關(guān)電源具有高度靈活組合、自主監(jiān)控、可靠性強(qiáng)、穩(wěn)定性好、節(jié)能高效、等優(yōu)點(diǎn)，在供電系統(tǒng)中作為一種繼電保護(hù)裝置和控制回路裝置，當(dāng)市電供電中斷時(shí)還可以作為后備電源，保障供電的可靠性。本文主要對(duì)智能高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中的整流模塊進(jìn)行的設(shè)計(jì)與研究，利用無(wú)源PFC 電路的原理，改善電路...
2012-01-03
開(kāi)關(guān)電源 整流模塊
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第五講：高能效智能電表電源方案
從智能電表的組成來(lái)看，主要包括通信、電源及電源管理、計(jì)量及存儲(chǔ)等功能模塊。安森美半導(dǎo)體提供應(yīng)用于智能電表各個(gè)功能模塊的豐富解決方案，如 PLC 調(diào)制解調(diào)器和線路驅(qū)動(dòng)器、放大器、穩(wěn)壓、監(jiān)控、電壓保護(hù)、溫度傳感器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、存儲(chǔ)器、LCD 背光、I/O 接口、智能卡接口和 I/O 擴(kuò)展器等。
2011-12-31
智能電表 電源 電源管理 NCP101x
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太陽(yáng)能上游現(xiàn)貨價(jià)回升 明年發(fā)展趨勢(shì)不明朗
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下太陽(yáng)能研究機(jī)構(gòu)EnergyTrend本周的調(diào)查，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)出現(xiàn)分歧態(tài)勢(shì)，在電池與模塊部分止跌回穩(wěn)，然而在多晶硅和晶圓則出現(xiàn)回漲的現(xiàn)象；另一方面，在合約價(jià)的走勢(shì)上，2012年在多晶硅與晶圓方面都傳出調(diào)漲的聲浪，但買(mǎi)賣(mài)雙方目前針對(duì)合約價(jià)格的看法仍然存在滿大...
2011-12-31
太陽(yáng)能 多晶硅 硅晶圓
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2012年電子元器件市場(chǎng)復(fù)蘇跡象不明顯
即將過(guò)去的2011年，對(duì)于電子元器件市場(chǎng)來(lái)說(shuō)是一個(gè)不平凡的一年，年初日本地震引發(fā)的全球產(chǎn)業(yè)鏈恐慌還未散去，不期而至的泰國(guó)洪災(zāi)又觸發(fā)新的危機(jī)，持續(xù)的歐債危機(jī)更是讓電子產(chǎn)業(yè)雪上加霜，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)都遭遇了不同程度的影響。
2011-12-31
電子元器件 電子產(chǎn)業(yè) 元器件市場(chǎng)
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探討DSP設(shè)計(jì)的電磁兼容性問(wèn)題
隨著DSP運(yùn)算速度的提高，能夠?qū)崟r(shí)處理的信號(hào)帶寬也大大增加，它的研究重點(diǎn)也轉(zhuǎn)到了高速、實(shí)時(shí)應(yīng)用方面。但正是這樣，它的電磁兼容性問(wèn)題也就越來(lái)越突出了，本文在DSP的電磁兼容性問(wèn)題方面進(jìn)行了一些探討。
2011-12-30
DSP 電磁兼容 EMC EMI 干擾
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STW88N65M5：ST 推出MDmesh V功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場(chǎng) 上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標(biāo)提高23%以上，對(duì)于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)...
2011-12-30
MOSFET mosfet ST
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移動(dòng)裝置需求增帶動(dòng)半導(dǎo)體反彈契機(jī)
多項(xiàng)市調(diào)研究顯示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可望在智慧型手機(jī)及行動(dòng)裝置需求的爆炸性成長(zhǎng)帶動(dòng)下，自2012年逐步復(fù)甦，2013年后將恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)。而功率半導(dǎo)體市場(chǎng)方面，全球2011、2012年成長(zhǎng)相對(duì)較慢，預(yù)估將分別成長(zhǎng)3.7%及5%，至2012年可達(dá)320億美元規(guī)模...
2011-12-30
移動(dòng)裝置 半導(dǎo)體
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