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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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電流型熱電偶溫度變送器的設(shè)計(jì)
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動(dòng)化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對(duì)溫度的監(jiān)控作用。本文主要開發(fā)設(shè)計(jì)出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實(shí)用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補(bǔ)償
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將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費(fèi)類產(chǎn)品設(shè)計(jì)
MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)，是利用微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)感應(yīng)和執(zhí)行功能的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實(shí)現(xiàn)的微米大小的立體機(jī)械結(jié)構(gòu)。 因?yàn)榧夹g(shù)和經(jīng)濟(jì)的原因，MEMS傳感器曾經(jīng)被局限在汽車市場(chǎng)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域；今天，隨著MEMS傳感器越來(lái)越小，價(jià)格越來(lái)越低，能效越來(lái)越高...
2008-10-11
MEMS 計(jì)步器 游戲機(jī) 加速計(jì)
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高壓離線式高亮度LED的新型恒流控制電路
本文詳細(xì)的介紹了高亮度LED的新型恒流控制電路，分為三個(gè)部分介紹：二極管串、維持電流、同步。
2008-10-11
HB-LED 二極管串 VIFB 同步
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韓國(guó)技術(shù)團(tuán)隊(duì)訪問南方芯源
韓國(guó)楓葉半導(dǎo)體拜訪南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來(lái)訪是希望與南方芯源合作，共同開拓中國(guó)MOSFET市場(chǎng)。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導(dǎo)體 南方芯源
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PMEG系列：恩智浦FlatPower封裝MEGA Schottky整流器
恩智浦半導(dǎo)體近日宣布推出全新FlatPower封裝的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因?yàn)?金屬板綁定"的封裝成果，新的MEGA產(chǎn)品帶來(lái)可媲美標(biāo)準(zhǔn)SMA封裝的高功率性能。新產(chǎn)品以其卓越的前向壓降，可以允許50A的峰值電流和高至1W的Ptot功率耗散。
2008-10-10
MEGA Schottky整流器 PMEG2010ER PMEG3010ER PMEG4010ER
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低頻光纖光柵加速度傳感器
本文設(shè)計(jì)了低頻光纖光柵加速度傳感器通過對(duì)其力學(xué)模型分析，建立了光纖光柵加速度傳感器的數(shù)學(xué)模型，得到了傳感器的加速度和光纖光柵波長(zhǎng)變化間的關(guān)系．通過振動(dòng)實(shí)驗(yàn)，得到了在不同阻尼下光纖光柵加速度計(jì)的幅頻特性。
2008-10-10
光纖光柵 低頻 加速度傳感器
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LED燈的最新保護(hù)技術(shù)
本文分析了為什么要對(duì)LED進(jìn)行保護(hù)和造成LED損壞的原因，進(jìn)而談到怎么對(duì)LED來(lái)進(jìn)行保護(hù)，以及LED的靜電防護(hù)和其生產(chǎn)車間的靜電防護(hù)。
2008-10-10
LED 保護(hù) 靜電
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