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單片機(jī)中上拉電阻不可小覷的作用分析
本篇文章對于上拉電阻在單片機(jī)當(dāng)中的重要作用進(jìn)行了細(xì)致的介紹，相信在閱讀過本篇文章之后，大家對于為什么要在單片機(jī)中添加上拉電阻有了一定的認(rèn)識。
2016-08-16
單片機(jī) 上拉電阻
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CISPR22 RE ClassB測試中RE輻射超標(biāo)十幾dB，怎么辦？
今天我們要研究的一個整改案例是一個為二次開發(fā)項目，在進(jìn)行CISPR22 RE ClassB測試中，RE輻射超標(biāo)了10幾dB，其超標(biāo)頻點來自于13.56MHz的高次諧波：149.16MHz，176.28MHz，203.4MHz，230.52MHz。看看我們的工程師是如何整改的。
2016-08-12
CISPR22 RE ClassB測試 RE輻射 超標(biāo) 整改
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共模電感與Y電容到底應(yīng)該怎么組合成濾波器？
一般實驗室的測試方法為，使用LISN將某段導(dǎo)體中的電壓提取出來，進(jìn)行一定的校正，最后與一條標(biāo)準(zhǔn)基線對比，看是否超標(biāo)，如果超標(biāo)，我們就需要找出原因，導(dǎo)入到量產(chǎn)之中。
2016-08-11
傳導(dǎo)發(fā)射 共模電感 Y電容 濾波器
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傳導(dǎo)發(fā)射，狠招不出，限值超標(biāo)就是解決不了
對于輻射測試來說，高頻發(fā)射比較難解決，比如一些人為或者隨機(jī)概率所造成種種諧振，而對于傳導(dǎo)測試來說，低頻發(fā)射比較難解決，特別是低頻的近場耦合，那是特別頑固，對于這種問題我們應(yīng)該如何解決，有哪幾種辦法，怎么來選取，如何運(yùn)用。
2016-08-11
傳導(dǎo)發(fā)射 限值超標(biāo) 整改辦法
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相移零電壓開關(guān)全橋DC/DC轉(zhuǎn)換器中的MOSFET行為
在過去幾年中，對于具有足夠高效率管理大功率的系統(tǒng)的市場需求推動SMPS設(shè)計師開發(fā)出具有低電氣損耗的拓?fù)?。帶PWM相移控制的全橋轉(zhuǎn)換器就是一種很流行的拓?fù)洌茉诖蠊β蕰r取得很高的效率，并整合了硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)的優(yōu)點。本文的目的是研究MOSFET器件用作零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)時所...
2016-08-09
功率器件 放大/調(diào)整/轉(zhuǎn)換
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如何讓嵌入式軟件的復(fù)雜電子設(shè)備更便宜更可靠？
在當(dāng)今競爭激烈的形勢下，使富含嵌入式軟件的復(fù)雜電子設(shè)備更快面市，但是同時確保其更便宜更可靠，是一種相當(dāng)冒險的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計不可避免地導(dǎo)致返工，增加設(shè)計成本并延長布局流程的網(wǎng)表交付時間，并最終延遲上市時間目標(biāo)，對收益源造成破壞性影響。
2016-08-09
嵌入式軟件 電子設(shè)備
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高速PCB設(shè)計之抗EMI干擾九大規(guī)則
隨著信號上升沿時間的減小及信號頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是高速PCB設(shè)計抗EMI干擾的九大規(guī)則：
2016-08-08
高速PCB EMI設(shè)計規(guī)則
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MEMS技術(shù)助無線設(shè)備擺脫晶振，壓電振子或成新寵
日本東京工業(yè)大學(xué)和日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)開發(fā)出了可以使無線通信電路不再使用晶體振蕩器的電路技術(shù)，使用的是可通過MEMS(微納機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)等集成在芯片中的振子。
2016-08-08
MEMS技術(shù) 晶振 壓電振子
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研發(fā)過程中常見電磁兼容(EMC)問題及解決辦法
通訊類電子產(chǎn)品不光包括以上三項：RE，CE，ESD，還有Surge--浪涌（雷擊，打雷）醫(yī)療器械最容易出現(xiàn)的問題是：ESD--靜電，EFT--瞬態(tài)脈沖抗干擾，CS--傳導(dǎo)抗干擾，RS--輻射抗干擾。針對于北方干燥地區(qū)，產(chǎn)品的ESD--靜電要求要很高。針對于像四川和一些西南多雷地區(qū)，EFT防雷要求要很高。
2016-08-05
電磁兼容(EMC) 解決辦法
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