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高度2.4mm間距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
為配合2014年初英特爾將推出的Grantley服務(wù)器平臺和Haswell服務(wù)器處理器，F(xiàn)CI快速開發(fā)出了284引腳表面貼裝DDR4 DIMM插槽，間距僅為0.85毫米，高度僅為2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A標準。
2012-12-04
DDR4 FCI 連接器
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九個方法：降低移動電話非穩(wěn)態(tài)噪聲
語音質(zhì)量對于移動電話用戶來說很重要，影響語音質(zhì)量的一個主要因素是環(huán)境噪聲，因此任何抑制噪聲的方法對于手機制造商來說都是一個實現(xiàn)差異化的機會。
2012-12-03
低移動電話 非穩(wěn)態(tài)噪聲
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C&K開發(fā)出智能手機用IP68等級30萬次壽命微型開關(guān)
如果你正在設(shè)計超薄智能手機，但又不希望犧牲開關(guān)的性能和信號質(zhì)量，那么推薦你考慮C&K Components最新開發(fā)出的頂部驅(qū)動的KLT系列pico開關(guān)，與現(xiàn)有的KMT系列nano開關(guān)相比，尺寸大幅縮小，封裝等級高達IP68，開關(guān)壽命高達30萬次，實為不可多得的理想之選。
2012-12-03
智能手機 微型開關(guān) C&K
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設(shè)計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優(yōu)勢，D類放大器的應(yīng)用越來越廣泛。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關(guān)輸出的拓撲結(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設(shè)計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優(yōu)勢，D類放大器的應(yīng)用越來越廣泛。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關(guān)輸出的拓撲結(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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Thunderbolt的ESD防護如何實現(xiàn)？
由于Thunderbolt是超高速的傳輸接口，在系統(tǒng)上屬外露給使用者可以插拔的接口，必然是靜電放電(ESD)破壞的高風險區(qū)，因此ESD防護方案在此是絕對必要的。但在額外加入的ESD防護組件設(shè)計時，又必須特別注意不可以影響到其超高速訊號的傳輸質(zhì)量，這讓ESD的防護又增加了挑戰(zhàn)。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防護
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創(chuàng)造12.5Gb/s傳輸速率應(yīng)用的新行業(yè)基準AirMax VS2連接器
FCI的無屏蔽式AirMax VS2連接器，為 12.5 Gb/s應(yīng)用確立富有競爭力的行業(yè)基準。AirMax VS2協(xié)調(diào)了AirMax Vse帶來的信號集成度（SI）和機械改進和創(chuàng)新特點，保留與AirMax VS的完全插入和配接能力，為用戶帶來更佳的成本優(yōu)勢。
2012-12-03
12.5Gb/s 基準 AirMax VS2 連接器
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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET
Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。
2012-12-03
0.8mm 芯片 MOSFET
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基于3G、智能手機電路保護設(shè)計時的方案選擇及器件對比
伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展和集成電路的廣泛應(yīng)用，各種電子設(shè)備不斷朝著尺寸小型化、功能多樣化和高度集成化方向發(fā)展。手機作為便攜式電子產(chǎn)品，對尺寸的要求更苛刻，而隨著3G 時代來臨，未來的手機功能會更強大，各種功能模塊的集成度會更高，這些都使各類芯片耐受過電壓的能力下降，從而對手機的...
2012-11-30
半導(dǎo)體 智能手機 電路防護
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