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富士通展示可提高4倍芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率的研究成果
富士通半導(dǎo)體歐洲（FSEU）已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長(zhǎng)距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
2012-10-24
富士通 接口 數(shù)據(jù)傳輸速率
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意法半導(dǎo)體、Soitec、CMP聯(lián)合提供28納米FD-SOI CMOS制程
意法半導(dǎo)體、 Soitec與CMP攜手為大學(xué)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)下一代系統(tǒng)級(jí)芯片并提供工程流片服務(wù)，可通過CMP的硅中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的CMOS 28納米全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）制程進(jìn)行工程流片。
2012-10-24
意法半導(dǎo)體 Soitec CMP 28納米 CMOS 制程
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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無(wú)引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
2012-10-23
NXP MOSFET 智能手機(jī)
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適用于空間緊湊的高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品
恩智浦電路保護(hù)產(chǎn)品組合同時(shí)具備超低電容和超低鉗位電壓特性，是保護(hù)eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號(hào)線的理想之選，采用這些超緊湊型封裝后，特別適合智能手機(jī)、播放器、平板電腦和電子閱讀器等空間緊湊型應(yīng)用。
2012-10-23
ESD NXP Thunderbolt USB 3.0
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4款領(lǐng)先的電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品
德州儀器推出4款業(yè)界領(lǐng)先器件，進(jìn)一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品陣營(yíng)，對(duì)各種終端設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，從智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)與服務(wù)器到電源管理產(chǎn)品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測(cè)量設(shè)備。
2012-10-23
TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測(cè)器
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4款領(lǐng)先的電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品
德州儀器推出4款業(yè)界領(lǐng)先器件，進(jìn)一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品陣營(yíng)，對(duì)各種終端設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，從智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)與服務(wù)器到電源管理產(chǎn)品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測(cè)量設(shè)備。
2012-10-23
TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測(cè)器
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TI推出降低散熱達(dá)30℃的新降壓升壓轉(zhuǎn)換器
最新 4G 手機(jī)具有更高的數(shù)據(jù)上載需求，要求對(duì)各種應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)“實(shí)時(shí)”開啟或關(guān)閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉(zhuǎn)換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達(dá)30攝氏度。
2012-10-23
TI 降壓升壓轉(zhuǎn)換器 4G手機(jī)
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