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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導電薄膜。主要用于觸摸面板，計劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導電薄膜 觸摸面板
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廉價智能手機打開中國市場
近日基于中國政府今年目標實現(xiàn)3G用戶超過1億，市場不久將出現(xiàn)100美元以下的智能手機，電信運營商的補貼也同樣重要，高通投資部中國區(qū)高級總監(jiān)沈勁(James Shen)日前表示。
2011-01-28
高通 廉價 智能手機 中國市場 android 電信
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來發(fā)展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問題一再升級倍受關(guān)注，國內(nèi)外各大彩電品牌紛紛發(fā)起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來發(fā)展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問題一再升級倍受關(guān)注，國內(nèi)外各大彩電品牌紛紛發(fā)起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據(jù)IHS iSuppli公司預測，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預計2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據(jù)IHS iSuppli公司預測，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預計2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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