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HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見(jiàn)的，無(wú)論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單雙節(jié)鋰電、三節(jié)鋰電或鉛酸電池12V。通過(guò)DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
HT7181 DC-DC升壓電路 解決方案
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進(jìn)一步普及下一代電動(dòng)汽車（xEV），從而推動(dòng)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。尤其是在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個(gè)重要課題。SiC（碳化硅）作為新一...
2022-03-14
SiC MOSFET 電動(dòng)汽車
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如何設(shè)計(jì)小型USB-C PD和PPS適配器
對(duì)于產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)，如何提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力是他們面對(duì)的核心挑戰(zhàn)。充電器和適配器要越做越??；能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供完整的USB-C功率傳輸(PD)、數(shù)字控制電源(PPS)功能；充電時(shí)間要越來(lái)越短。眾所周知，設(shè)計(jì)更小巧的充電器和適配器的關(guān)鍵在于減少元件數(shù)量和最...
2022-03-11
USB-C PD PPS 適配器
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這款DC/DC轉(zhuǎn)換器在待機(jī)模式下僅消耗約65 nA電流
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個(gè)例子是LTC3336。它在待機(jī)模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-11
DC/DC轉(zhuǎn)換器 待機(jī)模式 消耗電流
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安森美入選《投資者商業(yè)日?qǐng)?bào)》2021年ESG最佳表現(xiàn)百?gòu)?qiáng)企業(yè)榜單
2022年3月10日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其在ESG方面的努力獲得認(rèn)可入選《投資者商業(yè)日?qǐng)?bào)》(Investor’s Business Daily或IBD) 2021年ESG最佳表現(xiàn)百?gòu)?qiáng)企業(yè)榜單。該榜單彰顯在ESG評(píng)分領(lǐng)先和股票表現(xiàn)強(qiáng)勁的公司，安森美在2021年榜單中排名第49。
2022-03-11
安森美 ESG 百?gòu)?qiáng)企業(yè)
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個(gè)主觀術(shù)語(yǔ)，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉(zhuǎn)換界，它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴的主要值，即效率和成本?，F(xiàn)在，作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)材料，硅在導(dǎo)電和動(dòng)態(tài)損耗性能方面已經(jīng)到達(dá)了極限，這已經(jīng)是一個(gè)常識(shí)了，因此越來(lái)越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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BMS電池管理系統(tǒng)SOC算法
隨著電池性能的大幅提升，越來(lái)越多的應(yīng)用使用電池包提供能量。在電池管理系統(tǒng)中，如何準(zhǔn)確地估算電池的 SOC 是設(shè)計(jì)者需要考慮的重點(diǎn)與難點(diǎn)。
2022-03-10
BMS 電池管理系統(tǒng) SOC算法
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如何為衛(wèi)星應(yīng)用選擇合適的LDO
耐輻射低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是許多航天級(jí)子系統(tǒng)（包括現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和模擬電路）的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩(wěn)定的低噪聲和低紋波電源。
2022-03-10
衛(wèi)星應(yīng)用 LDO
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通，在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
2022-03-09
功率MOSFET 寄生導(dǎo)通
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