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更小的通訊設(shè)備系統(tǒng)降壓式電源模塊
便攜電話、平板電腦等聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（物聯(lián)網(wǎng)）的廣泛使用極大地提升了世界范圍內(nèi)的無(wú)線通信流量。相應(yīng)的，這也對(duì)通訊基礎(chǔ)設(shè)施——如基站、遠(yuǎn)端頻射單元（RRUs）、小型基地臺(tái)（蜂窩）等——提出了增容要求，以處理更多的信息流量。在下班路上，我們一路可以看見(jiàn)在各類公辦樓、水塔、體育館等建筑設(shè)施頂部、邊...
2021-01-18
通訊設(shè)備 降壓式 電源模塊
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計(jì)算寬輸入電壓解決方案的價(jià)值
在設(shè)計(jì)電源時(shí)，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)之一是如何處理瞬態(tài)電壓。保護(hù)電路不受高于集成電路(IC)額定輸入電壓（VIN）的電壓峰值破壞非常重要。在處理瞬態(tài)電壓時(shí)，設(shè)計(jì)人員可以選擇在系統(tǒng)前端使用輸入電壓范圍較寬的DC/DC轉(zhuǎn)換器保護(hù)所有瞬態(tài)電壓，或者使用輸入電壓較低的DC/DC轉(zhuǎn)換器再加上鉗位電路來(lái)提供瞬...
2021-01-18
寬輸入電壓 解決方案
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什么是反激開(kāi)關(guān)電源？
“反激”指的是在開(kāi)關(guān)管接通的情況下，當(dāng)輸入為高電平時(shí)輸出線路中串聯(lián)的電感為放電狀態(tài)；相反，在開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)的情況下，當(dāng)輸入為高電平時(shí)輸出線路中的串聯(lián)的電感為充電狀態(tài)。
2021-01-15
反激開(kāi)關(guān)電源
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電源小貼士：使用C型USB端口進(jìn)行電力共享
USB Type-C? 功率輸出（Power Delivery，PD）標(biāo)準(zhǔn)允許在任何地方通過(guò)一個(gè)USB Type-C端口輸送7.5W (5V, 1.5A)至100W (10V, 5A) 的功率。但在任一特定系統(tǒng)內(nèi)，可用的輸入功率總是受限的。那么在多端口系統(tǒng)中，應(yīng)該如何在不同端口之間進(jìn)行功率分配呢？
2021-01-15
電源 C型USB端口 電力共享
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DC/DC變換器數(shù)據(jù)表——計(jì)算系統(tǒng)損耗
歡迎回到DC/DC變換器數(shù)據(jù)表博客系列。在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導(dǎo)損耗。傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開(kāi)后，負(fù)載電流就會(huì)從其中通過(guò)。漏源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可...
2021-01-15
DC/DC 變換器 系統(tǒng)損耗
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氮化鎵已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
術(shù)語(yǔ)“準(zhǔn)備就緒”竟然有如此多不同的含義，真是有趣。若您兒孫滿堂，“準(zhǔn)備就緒”是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備；我們不會(huì)離開(kāi)30分鐘。在飛機(jī)上，“準(zhǔn)備就緒”意味著收起您的手機(jī)；這樣，飛機(jī)最終才能安全起飛。
2021-01-15
氮化鎵 數(shù)字電源控制
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預(yù)想一下高壓氮化鎵的未來(lái)
你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來(lái)滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度大大加快，并且效率更高。
2021-01-15
高壓氮化鎵 LMG3410
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效率高達(dá)到90%？這款降壓控制器解決方案是我們需要的~
高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對(duì)較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈...
2021-01-14
降壓控制器 電源
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用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2021-01-14
集成驅(qū)動(dòng)器 氮化鎵 性能
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