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前沿調(diào)制通過減少IC中的高頻RMS電流來提高電源性能
為了消除給離線功率轉(zhuǎn)換器添加PFC前端級所產(chǎn)生的損耗，一些設(shè)計人員使用了各種各樣的PFC拓撲結(jié)構(gòu)，例如：可降低開關(guān)損耗的PFC升壓跟隨器和/或能夠減少傳導(dǎo)損耗的交錯式PFC。
2013-01-01
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通過Windows 8融合需求認證的12軸傳感器
Freescale的12軸向Xtrinsic傳感器平臺通過Windows 8的傳感器融合需求認證，其高度整合的12軸向解決方案，可減輕主要處理器的負荷，同時延長裝置的電池壽命，讓智能型便攜設(shè)備的研發(fā)更形順暢。
2012-12-31
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A/D采樣測量電路中常用的多路電壓采集電路
本文就A/D采樣測量電路中常用的多路電壓采集電路提出了一種設(shè)計方法。針對電路使用中出現(xiàn)的問題，結(jié)合Electronics Workbench電路仿真軟件搭建模型仿真電路，提出了電路的改善方法。經(jīng)過驗證，電路的一致性和線性較好，同時又具有電路簡單、器件少等優(yōu)點。
2012-12-31
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電源轉(zhuǎn)換中反激轉(zhuǎn)換器和降壓拓撲結(jié)構(gòu)的設(shè)計案例
在采用交流離線電源為LED供電的應(yīng)用中，涉及到眾多不同的應(yīng)用場合，如電子鎮(zhèn)流器、熒光燈替代、交通信號燈、LED燈泡、街道和停車照明、建筑物照明、障礙燈和標志等。在這些從交流主電源驅(qū)動大功率LED的應(yīng)用中，有兩種常見的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，即在需要電流隔離(galvanic isolation)時使用反激轉(zhuǎn)換器，或在不需要隔離時使用較為簡單的降壓拓撲結(jié)構(gòu)。
2012-12-31
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Molex為工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)工程師提供可信來源的QTL電纜組件
Molex公司推出新款Quick-Turn 電纜組件，不僅具有價格競爭力，并且滿足小至中等批量客制化光纖客戶，而且可以滿足客戶快速交貨的定購需求。
2012-12-30
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僅有105μA電源管理器件，是便攜式應(yīng)用的理想選擇
ON 安森美推出兩款新電源管理 IC CP6924 / NCP6914，兩款器件都提供多個配電字符串，節(jié)省電路板占用空間，并允許在整個系統(tǒng)以較高功率密度配電，協(xié)助解決散熱挑戰(zhàn)，成為便攜式應(yīng)用的理想電源分配方案。
2012-12-29
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SWS推出了超低噪聲高性能的ASIC
SWS針對Tronics的MEMS陀螺GYPRO2300提供ASIC，結(jié)合取得了目前市場上最高級別的性能。該陀螺（GYRPO2300）零偏穩(wěn)定性（艾倫方差）為1degree/h，超低噪聲為10degree/h/Sqrt(Hz)，熱零偏穩(wěn)定性為+/- 0.05 degree/s。
2012-12-29
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停機模式下消耗電流小于3uA的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器
Richtek推出RT7297C 3A , 18V , 800KHz同步直流對直流降壓轉(zhuǎn)換器，提供UVP輸出過低電壓保護及OTP過熱保護 , 在停機模式下所需消耗電流小于3uA , 非常適用于待機模式及電池供電電源管理系統(tǒng)。
2012-12-29
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經(jīng)濟方便的提升消費電子音質(zhì)的D類音頻開發(fā)
Silicon Labs 為32位嵌入式設(shè)計簡化數(shù)字D類音頻開發(fā)，外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠，并且無需專門的功率場效晶體管。可以經(jīng)濟方便的提升消費電子的音質(zhì)。
2012-12-29
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LTE智能手機差異化設(shè)計點：基帶平臺
下一代智能手機的競爭焦點將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場。在高通、ST-Ericsson之后，博通也宣布跨入LTE芯片市場，加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相，LTE手機平臺大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進行LTE基帶平臺的盤點和展望。
2012-12-29
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蘋果獲Micro SIM連接器專利 延續(xù)標準大戰(zhàn)
據(jù)Patentlyapple網(wǎng)站報道，蘋果Micro SIM(微型SIM卡)專利昨日獲得正式批準。此項專利能幫助用戶更方便地拔插SIM卡，在用戶插入不當(dāng)時也可以保證設(shè)備不會受損，同時提供了可靠的機械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中國國產(chǎn)IC的競爭力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
- 成本與性能的平衡：振蕩線圈技術(shù)深度解析與選型建議
- 十一月上海見！106屆中國電子展預(yù)登記開啟，共探產(chǎn)業(yè)新機遇
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