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MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-10-21
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Digi-Key將為在中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、印度和韓國(guó)舉辦的Microchip技術(shù)精英年會(huì)提供贊助
美國(guó) , 明尼蘇達(dá)州 , 錫夫里弗福爾斯市 - 2019 年 10 月 17 日。全球電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 宣布將為 11 月和 12 月舉行的七場(chǎng) Microchip 技術(shù)精英年會(huì) (MASTER) 活動(dòng)提供贊助，分別作為中國(guó)大陸所有三場(chǎng)年會(huì)的金牌贊助商、印度年會(huì)的銀牌贊助商、韓國(guó)年會(huì)的白金贊助商以及中國(guó)臺(tái)灣兩場(chǎng)年會(huì)的銀牌贊助商。
2019-10-18
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縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
2019-10-15
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這篇文章讓你掌握PCB信號(hào)完整性五步曲
很多時(shí)候，PCB走線中途會(huì)經(jīng)過(guò)過(guò)孔、測(cè)試點(diǎn)焊盤、短的stub線等，都存在寄生電容，必然對(duì)信號(hào)造成影響。走線中途的電容對(duì)信號(hào)的影響要從發(fā)射端和接受端兩個(gè)方面分析，對(duì)起點(diǎn)和終點(diǎn)都有影響。
2019-10-11
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西門子S7300實(shí)現(xiàn)特殊繼電器功能的方法
西門子PLC S7-200的編程軟件STEP 7 MicroWIN V4.0 SP9中，有一些特殊繼電器，可以幫助用戶實(shí)現(xiàn)特定的功能。本文下面為您介紹西門子PLC S7-300中實(shí)現(xiàn)特殊繼電器功能的方法，大家可以進(jìn)行參考。
2019-09-16
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干貨：電路設(shè)計(jì)的全過(guò)程（含原理圖）
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一份非常耗時(shí)費(fèi)力的苦差事，需要不斷地修正多個(gè)設(shè)計(jì)變量，直到性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設(shè)計(jì)步驟，并以一個(gè)6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設(shè)計(jì)為例，主控芯片采用NCP1015。
2019-09-03
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一文帶你認(rèn)識(shí)全類型“電阻”！
電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用越大。不同的導(dǎo)體，電阻一般不同，電阻是導(dǎo)體本身的一種特性。電阻將會(huì)導(dǎo)致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。而超導(dǎo)體則沒(méi)有電阻。
2019-09-02
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工程師實(shí)戰(zhàn)干貨分享：77條STM32知識(shí)匯總
以下是工程師結(jié)合自己的工作實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)分享，總共有77條STM32知識(shí)匯總，建議收藏！SYSCLK時(shí)鐘源有三個(gè)來(lái)源：HSI RC、HSE OSC、PLL等。
2019-08-13
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
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CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡(jiǎn)要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關(guān)于晶體振蕩器，其英文名稱為quartz crystal oscillator，也就是我們經(jīng)常說(shuō)的晶振，當(dāng)然咯，也有將其稱為有源晶振的。它能夠產(chǎn)生中央處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號(hào)，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個(gè)基礎(chǔ)上的，時(shí)鐘信號(hào)頻率越高，通常CPU的運(yùn)行速度也就越快。
2019-07-19
- 避開(kāi)繁瑣！運(yùn)放差分電容測(cè)量簡(jiǎn)化指南
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