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運(yùn)算放大器參數(shù)的簡(jiǎn)易測(cè)量“指南”
運(yùn)算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用于高精度模擬電路，因此必須精確測(cè)量其性能。但在開環(huán)測(cè)量中，其開環(huán)增益可能高達(dá)107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應(yīng)可能會(huì)在放大器輸入端產(chǎn)生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。
2024-12-20
運(yùn)算放大器 測(cè)量
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借助熱插拔控制器，確保系統(tǒng)持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行
在電子產(chǎn)品中，在不中斷系統(tǒng)運(yùn)行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關(guān)重要。眾所周知，熱插拔1已成為從數(shù)據(jù)中心到電信系統(tǒng)等許多應(yīng)用的基本功能。為了確保系統(tǒng)在這些操作期間的安全性和完整性，需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了這款熱插拔控制器...
2024-12-16
熱插拔 控制器
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探究電路里0.1uF和0.01uF電容的共存之謎
旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoupling Capacitor)這兩個(gè)概念在電路中是常見的，但是真正理解起來并不容易。
2024-12-16
電路 電容
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為何混合型交流浪涌保護(hù)器是浪涌保護(hù)首選？
現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動(dòng)作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會(huì)導(dǎo)致過電壓和過電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備...
2024-12-16
交流浪涌保護(hù)器 浪涌保護(hù)
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對(duì)比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭(zhēng)論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強(qiáng)大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場(chǎng)規(guī)模。
2024-12-13
無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器 交流/直流適配器
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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要...
2024-12-12
ESD 保護(hù)二極管
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機(jī) 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。
2024-12-12
矩陣開關(guān) 熱載流子
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